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晶电研制中心宣布IR 850nm高效率发光产品

来源:http://www.aglyh.com 责任编辑:ag环亚娱乐平台 2018-10-04 16:37

  晶电研制中心宣布IR 850nm高效率发光产品

  晶元光电研制中心(EPISTAR LAB)技能团队活跃投入研制,近来成功开发并导入许多前瞻性技能,如新颖性通明导电薄膜(TCO)资料、复合式反射镜结构、博天堂app削减光线吸收之磊晶规划等。EPISTAR LAB将相关技能导入后,有效地添加光子萃取功率,已大幅提高IR产品效能,创下多项新纪录。

  依据最新数据显现(如附图),SFPN42芯片尺寸1x1mm2,实验室环境中在操作电流40mA下,达最高光电变换功率75%;操作电流350mA下WPE大于70%;1A操作电流下.发光强度更是逾越了1W,达输出功率1,027mW,抢先各业界群雄,如此亮眼的水平使LED更趋于省电节能。

  晶元光电秉持着完成LED无限可能之精力,继续致力于提高产品效能,环亚娱乐ag国际厅LED工业9支概念,现在IR 850nm产品的使用规模除了以往的摇控器、开关等传统使用之外,也包含保全监督、智能触碰屏幕、无线通讯及交通系统等新使用,希望与客户携手将LED光源推行到更具潜力之市场上,并期许能帮忙客户提高竞赛优势。

  

晶电研制中心宣布IR 850nm高功率发光产品

  

   晶电LED光源IR

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